型号: BSP89E6327
功能描述:
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 240 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 0.35 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 7.5 Ohms
配置: Single Dual Drain
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-223
封装: Reel
下降时间: 18.4 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 0.36 S / 0.18 S
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1.8 W
上升时间: 3.5 ns
工厂包装数量: 1000
典型关闭延迟时间: 15.9 ns
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Q Q:
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