型号:  BSR12,215

功能描述:  

制造商:  NXP Semiconductors

Current-Collector(Ic)(Max)：  100mA

不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）：  450mV @ 10mA，100mA

电流-集电极截止（最大值）：  50nA

不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）：  30 @ 50mA，1V

Power-Max：  250mW

频率-跃迁：  1.5GHz

工作温度：  150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236AB（SOT23）

封装形式Package：  TO-236AB

极性Polarity：  PNP

集电极最大允许电流Ic：  0.1A

集电极_发射极击穿电压VCEO：  15V

晶体管类型：  PNP

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：  100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）：  15V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：  450mV @ 10mA，100mA

电流 - 集电极截止（最大值）：  50nA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：  30 @ 50mA，1V

功率 - 最大值：  250mW

频率 - 跃迁：  1.5GHz

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB（SOT23）

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs