型号: BSR315P L6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BSR315P
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 620mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 800 毫欧 @ 620mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2V @ 160µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 176pF @ 25V
功率 - 最大值： 500mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： PG-SC-59
其它名称： BSR315PL6327HTSA1SP000265405
联系人：韩雪
电话：18124047120
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：陈小姐
电话：13530356610
Q Q:
联系人：林俊升
电话：13410425798
Q Q:
联系人：骆先生
电话：13632770090
Q Q:
