型号: BSR58LT1G
功能描述: ON Semiconductor/分立半导体产品
制造商: ON Semiconductor
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: JFET(结点场效应
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: N 沟道
电压 - 击穿(V(BR)GSS): 40V
漏源极电压(Vdss): -
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss): 8mA @ 15V
漏极电流(Id) - 最大值: -
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关): 800mV @ 1µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): -
电阻 - RDS(开): 60 欧姆
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
功率 - 最大值: 350mW
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