型号:  BSR802NL6327HTSA1

功能描述:  Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR802NL6327HTSA1, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-346 (SC-59)封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  3.7A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  1.8V，2.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  750mV @ 30µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  4.7nC @ 2.5V

Vgs（最大值）：  ±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  1447pF @ 10V

功率耗散（最大值）：  500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  23 毫欧 @ 3.7A，2.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-SC-59

封装/外壳：  PG-SC59-3

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  3.7 A

最大漏源电压：  20 V

最大漏源电阻值：  32 m0hms

最大栅阈值电压：  0.75V

最小栅阈值电压：  0.3V

最大栅源电压：  -8 V、+8 V

封装类型：  SOT-346 (SC-59)

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  小信号

最大功率耗散：  500 mW

宽度：  1.1mm

最高工作温度：  +150 °C

最低工作温度：  -55 °C

高度：  1.6mm

每片芯片元件数目：  1

正向跨导：  16S

正向二极管电压：  1.1V

系列：  OptiMOS 2

尺寸：  3 x 1.1 x 1.6mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  4.7 nC @ 2.5 V

典型输入电容值@Vds：  1013 pF @ 10 V

典型关断延迟时间：  26 ns

典型接通延迟时间：  9.8 ns

长度：  3mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs