型号: BSS119E6327
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装： 3,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： SIPMOS®
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 170mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.3V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 2.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 78pF @ 25V
功率 - 最大值： 360mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装： PG-SOT23-3
其它名称： BSS119BSS119E6327XTBSS119INTRBSS119XTINTRBSS119XTINTR-NDSP000011161
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