型号: BSS123 E6433
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
标准包装: 10,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 单
系列: SIPMOS®
包装: 带卷(TR)
FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 170mA(Ta)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 6 欧姆 @ 170mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 1.8V @ 50µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 2.67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 69pF @ 25V
功率 - 最大值: 360mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装: PG-SOT23-3
其它名称: BSS123E6433XTSP000011166
联系人:杨丹妮
电话:18124040553
联系人:郑小姐
电话:18188616613
联系人:陈泽辉
电话:13360071553
联系人:Alien
联系人:雷小姐,微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话:13480875861
联系人:王小姐,刘先生
电话:19147724283
联系人:杨晓芳
电话:13430590551
联系人:朱先生
电话:13590290444
联系人:钟丽君
电话:13928452225
联系人:刘先生
电话:13482238368