型号:  BSS123N H6433

功能描述:  MOSFET N-Ch 100V 190mA SOT-23-3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  190 mA

Rds On-漏源导通电阻:  2.4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  900 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  500 mW (1/2 W)

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  2.9 mm

系列:  BSS123

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  1.3 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  410 mS

下降时间:  22 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.2 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  7.4 ns

典型接通延迟时间:  2.3 ns

零件号别名:  BSS123NH6433XT BSS123NH6433XTMA1 SP000939268

单位重量:  8 mg