型号: BSS126H6327XTSA1
功能描述: MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: SIPMOS®
零件状态: 停產
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 21mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 0V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.6V @ 8µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 2.1nC @ 5V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 28pF @ 25V
FET 功能: 耗尽模式
功率耗散（最大值）: 500mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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