型号:  BSS127S-7

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  BSS

单位重量：  8 mg

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single

下降时间：  168 ns

典型接通延迟时间：  5 ns

上升时间：  7.2 ns

Vgs-栅极-源极电压：  20 V

Pd-功率耗散：  1.25 W

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  70 mA

Vds-漏源极击穿电压：  600 V

晶体管类型：  1 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  160 Ohms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  N-Channel

典型关闭延迟时间：  28.7 ns

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  50mA（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  1.08nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  21.8pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  610mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  160 欧姆 @ 16mA，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

封装形式Package：  SOT-23

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  600V

连续漏极电流ID：  0.07A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs