型号: BSS138LT3
功能描述:
制造商: ON Semiconductor
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 50V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 1.5V @ 1mA
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 50pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds： 25V
功率耗散（最大值）： 225mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.5 欧姆 @ 200mA，5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：许小姐
电话：18118747668
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：陈梦，李丽
Q Q:
联系人：林先生
电话：13918834379
Q Q:
联系人：刘清影
电话：18924630310
Q Q:
联系人：于
Q Q:
