型号:  BSS139_H6327

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

制造商:  infineon technologies

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  3,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Depletion Mode

漏极至源极电压（VDSS）：  250V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  100mA

Rds（最大）@ ID，VGS：  14 Ohm @ 100µA, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  1V @ 56µA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  3.5nC @ 5V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  76pF @ 25V

功率 - 最大：  360mW

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  PG-SOT23-3

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3SOT-23

通道模式：  Depletion

最大漏源电压：  250 V

最大连续漏极电流：  0.1 A

RDS -于：  14000@10V mOhm

最大门源电压：  ±20 V

典型导通延迟时间：  5.8 ns

典型上升时间：  5.4 ns

典型关闭延迟时间：  29 ns

典型下降时间：  182 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

FET特点：  Depletion Mode

封装：  Tape & Reel (TR)

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  100mA (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  1V @ 56µA

漏极至源极电压（Vdss）：  250V

标准包装：  3,000

供应商设备封装：  PG-SOT23-3

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  14 Ohm @ 100µA, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  360mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

输入电容（Ciss ） @ VDS：  76pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  3.5nC @ 5V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  BSS139 H6327CT

类别：  Small Signal

渠道类型：  N

配置：  Single

外形尺寸：  2.9 x 1.3 x 1mm

身高：  1mm

长度：  2.9mm

最大漏源电阻：  14 Ω

最高工作温度：  +150 °C

最大功率耗散：  0.36 W

最低工作温度：  -55 °C

每个芯片的元件数：  1

包装类型：  SOT-23

引脚数：  3

典型栅极电荷@ VGS：  2.3 nC V @ 5

典型输入电容@ VDS：  60 pF V @ 25

宽度：  1.3mm