型号:  BSS159NH6906XTSA1

功能描述:  Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS159NH6906XTSA1, 130 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  230mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  0V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.4V @ 26µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  2.9nC @ 5V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  44pF @ 25V

FET 功能：  耗尽模式

功率耗散（最大值）：  360mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  3.5 欧姆 @ 160mA，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-SOT23-3

封装/外壳：  TO-236-3

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  5V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  130 mA

最大漏源电压：  60 V

最大漏源电阻值：  8 0hms

最大栅阈值电压：  2.4V

最小栅阈值电压：  3.5V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  SOT-23

引脚数目：  3

晶体管配置：  单

通道模式：  消耗

类别：  小信号

最大功率耗散：  360 mW

系列：  SIPMOS

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  1.4 nC @ 5 V

典型输入电容值@Vds：  29 pF @ 25 V

典型关断延迟时间：  9 ns

典型接通延迟时间：  3.1 ns

宽度：  1.3mm

每片芯片元件数目：  1

高度：  1mm

最高工作温度：  +150 °C

尺寸：  2.9 x 1.3 x 1mm

最低工作温度：  -55 °C

长度：  2.9mm

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs