型号:  BSS192P H6327

功能描述:  MOSFET P-Ch -250V -190mA SOT-89-3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-89-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  250 V

Id-连续漏极电流:  190 mA

Rds On-漏源导通电阻:  7.7 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  - 6.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.5 mm

长度:  4.5 mm

系列:  BSS192

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  2.5 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  190 mS

下降时间:  50 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5.2 ns

工厂包装数量:  1000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  72 ns

典型接通延迟时间:  4.7 ns

零件号别名:  BSS192PH6327FTSA1 SP001047642