型号:  BSS214N H6327

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  143pF @ 10V

Vgs（最大值）：  ±12V

功率耗散（最大值）：  500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  140 毫欧 @ 1.5A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-SOT23-3

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：  20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  1.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  2.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  1.2V @ 3.7µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  0.8nC @ 5V

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Id-连续漏极电流：  1.5A

Rds On-漏源导通电阻：  106mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：  700mV

Vgs - 栅极-源极电压：  12V

Qg-栅极电荷：  800pC

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  500mW(1/2W)

通道模式：  Enhancement

资格：  AEC-Q101

封装：  CutTape

高度：  1.1mm

长度：  2.9mm

系列：  BSS214

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  1.3mm

正向跨导 - 最小值：  4S

下降时间：  1.4ns

上升时间：  7.8ns

典型关闭延迟时间：  6.8ns

典型接通延迟时间：  4.1ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs