型号: BSS225H6327XTSA1
功能描述: MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: SIPMOS™
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 90mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 45 欧姆 @ 90mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 94µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 5.8nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 131pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT89
封装/外壳: TO-243AA
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