型号:  BSS314PEH6327XTSA1

功能描述:  Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSS314PEH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  1.5A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2V @ 6.3µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  2.9nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  294pF @ 15V

功率耗散（最大值）：  500mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  140 毫欧 @ 1.5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-SOT23-3

封装/外壳：  TO-236-3

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  15V

通道类型：  P

最大连续漏极电流：  1.5 A

最大漏源电压：  30 V

最大漏源电阻值：  230 m0hms

最大栅阈值电压：  2V

最小栅阈值电压：  1V

最大栅源电压：  -20 V、+20 V

封装类型：  SOT-23

晶体管配置：  单

引脚数目：  3

通道模式：  增强

类别：  小信号

最大功率耗散：  500 mW

最低工作温度：  -55 °C

正向跨导：  3S

每片芯片元件数目：  1

正向二极管电压：  1.1V

尺寸：  2.9 x 0.1 x 1.3mm

长度：  2.9mm

晶体管材料：  Si

典型栅极电荷@Vgs：  2.9 nC @ 10 V

典型输入电容值@Vds：  221 pF @ -15 V

典型关断延迟时间：  12.4 ns

典型接通延迟时间：  5.1 ns

宽度：  0.1mm

高度：  1.3mm

最高工作温度：  +150 °C

系列：  OptiMOS P

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs