型号: BSS606NH6327
功能描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.2A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.3V @ 15uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 3.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1W 类型:N沟道
制造商: Infineon(英飞凌)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss): 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时): 3.2A
栅源极阈值电压: 2.3V @ 15uA
漏源导通电阻: 60mΩ @ 3.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C): 1W
类型: N沟道
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