型号:  BSS670S2LH6433XTMA1

功能描述:  MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  55 V

Id-连续漏极电流:  540 mA

Rds On-漏源导通电阻:  650 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  2.26 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  360 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  2.9 mm

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  1.3 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  0.6 S

下降时间:  24 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  25 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  21 ns

典型接通延迟时间:  9 ns

零件号别名:  BSS670S2L H6433 SP001341854

单位重量:  8 mg