型号:  BSS7728N

功能描述:  

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  200mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  2.3V @ 26µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  1.5nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  56pF @ 25V

功率耗散（最大值）：  360mW（Ta）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  5 欧姆 @ 500mA，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-SOT23-3

封装/外壳：  PG-SOT23-3

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs：  10V

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds：  25V

安装风格：  SMD/SMT

通道数量：  1Channel

晶体管极性：  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压：  60V

Id-连续漏极电流：  200mA

Rds On-漏源导通电阻：  7.5Ohms

Vgs - 栅极-源极电压：  20V

最小工作温度：  -55C

最大工作温度：  +150C

配置：  Single

Pd-功率耗散：  360mW

通道模式：  Enhancement

高度：  1.1mm

长度：  2.9mm

晶体管类型：  1N-Channel

宽度：  1.3mm

下降时间：  2.7ns

上升时间：  2.7ns

典型关闭延迟时间：  6.1ns

典型接通延迟时间：  2.7ns

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs