型号: BSS8402DWQ-7
功能描述: Diodes Incorporated/分立半导体产品
制造商: Diodes Incorporated
标准包装: 3,000
类别: 分立半导体产品
家庭: FET - 阵列
系列: -
包装: 带卷(TR)
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源极电压(Vdss): 60V,50V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 115mA,130mA
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 13.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 50pF @ 25V
功率 - 最大值: 200mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SOT-363
其它名称: Q8604571
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