型号: BSS84Q-7-F
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：130mA 漏源电压（Vdss）：-50V 栅源极阈值电压：2V @ 1mA 漏源导通电阻：10Ω @ 12.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：P沟道
制造商: DIODES(美台)
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: -50V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 130mA
栅源极阈值电压: 2V @ 1mA
漏源导通电阻: 10Ω @ 12.6A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 300mW
类型: P沟道
联系人：朱丽娜
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