型号:  BSV52.215

功能描述:   Trans GP BJT NPN 12V 0.1A 3-Pin TO-236AB T/R

制造商:  nxp semiconductors

特色产品：  

标准包装：  3,000

晶体管类型：  NPN

集电极电流（Ic）（最大）：  100mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  12V

Vce饱和（最大）@ IB，IC：  400mV @ 5mA, 50mA

电流 - 集电极截止（最大）：  -

直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：  40 @ 10mA, 1V

功率 - 最大：  250mW

频率转换：  500MHz

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件封装：  TO-236AB

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

动态目录：  NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/15079?mpart=BSV52,215&vendor=568&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；

包装：  3TO-236AB

类型：  NPN

引脚数：  3

最大集电极发射极电压：  12 V

集电极最大直流电流：  0.1 A

最小直流电流增益：  25@1mA@1V|40@10mA@1V|25@50mA@1V

最大工作频率：  500(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压：  0.3@300uA@10mA|0.25@1mA@10mA|0.4@5mA@50mA V

最大集电极基极电压：  20 V

工作温度：  -65 to 150 °C

最大功率耗散：  250 mW

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

集电极最大直流电流：  0.1

最低工作温度：  -65

Maximum Transition Frequency ：  500(Typ)

包装宽度：  1.4(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  250

欧盟RoHS指令：  Compliant

每个芯片的元件数：  1

最大集电极基极电压：  20

最大集电极发射极电压：  12

供应商封装形式：  TO-236AB

标准包装名称：  SOT-23

最高工作温度：  150

包装长度：  3(Max)

包装高度：  1(Max)

最大基地发射极电压：  5

封装：  Tape and Reel

铅形状：  Gull-wing

电流 - 集电极（ Ic）（最大）：  100mA

晶体管类型：  NPN

安装类型：  Surface Mount

频率 - 转换：  500MHz

下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：  400mV @ 5mA, 50mA

电压 - 集电极发射极击穿（最大）：  12V

供应商设备封装：  SOT-23-3

功率 - 最大：  250mW

封装/外壳：  TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：  40 @ 10mA, 1V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-8029-1

工厂包装数量：  3000

增益带宽产品fT：  500 MHz

产品种类：  Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性：  NPN

发射极 - 基极电压VEBO：  5 V

直流集电极/增益hfe最小值：  25

直流电流增益hFE最大值：  25 at 1 mA at 1 V

集电极 - 发射极最大电压VCEO：  12 V

安装风格：  SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO：  20 V

最低工作温度：  - 65 C

配置：  Single

最高工作温度：  + 150 C

零件号别名：  BSV52 T/R

RoHS：  RoHS Compliant

连续集电极电流：  100 mA

集电极电流（ DC）（最大值）：  0.1 A

集电极 - 基极电压：  20 V

集电极 - 发射极电压：  12 V

发射极 - 基极电压：  5 V

频率（最大）：  500 MHz

功率耗散：  0.25 W

工作温度范围：  -65C to 150C

包装类型：  TO-236AB