型号: BSZ024N04LS6ATMA1
功能描述: TRENCH
制造商: Infineon Technologies
包装: 标准卷带
系列: OptiMOS™ 6
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 24A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 2.4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 25nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 1800pF @ 20V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.5W（Ta），75W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳: 8-PowerTDFN
联系人：Alien
Q Q:
联系人：詹嘉捷
电话：13286466676
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：黄
电话：18927111567
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：李
电话：13632880560
Q Q:
联系人：李先生
电话：13538015266
Q Q:
联系人：丁晓涛
Q Q:
联系人：武洪宇
电话：18500684353
Q Q:
