型号:  BSZ033NE2LS5ATMA1

功能描述:  MOSFET LV POWER MOS

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PG-TSDSON-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  25 V

Id-连续漏极电流:  40 A

Rds On-漏源导通电阻:  3.3 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  13.6 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  3 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

商标名:  OptiMOS

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  3.3 mm

系列:  OptiMOS 5

晶体管类型:  1 N-Channel

宽度:  3.3 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  46 S

下降时间:  2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  18 ns

典型接通延迟时间:  4 ns

零件号别名:  BSZ033NE2LS5 SP001288158

单位重量:  34.400 mg