型号:  BSZ086P03NS3GATMA1

功能描述:  MOSFET P-Ch -30V 13.5A TSDSON-8 OptiMOS P3

制造商:  Infineon Technologies

制造商:  Infineon

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TSDSON-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  40 A

Rds On-漏源导通电阻:  6.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  3.1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  25 V

Qg-栅极电荷:  57.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  69 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1.1 mm

长度:  3.3 mm

系列:  BSZ086P03

晶体管类型:  1 P-Channel

宽度:  3.3 mm

商标:  Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:  30 S

下降时间:  8 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  46 ns

工厂包装数量:  5000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  35 ns

典型接通延迟时间:  16 ns

零件号别名:  BSZ086P03NS3 BSZ86P3NS3GXT G SP000473024