型号: BSZ0907NDXTMA1
功能描述: MOSFET
制造商: Infineon Technologies
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 30 V
闸/源击穿电压： 20 V
漏极连续电流： 25 A, 30 A
配置： Dual
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： PG-WISON - 8
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
下降时间： 2.8 ns, 2.4 ns
正向跨导 - 最小值： 33 S, 37 S
栅极电荷 Qg： 1.4 nC, 1.7 nC
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 1.9 W, 2.3 W
上升时间： 3.2 ns, 3.4 ns
系列： BSZ0907
工厂包装数量： 5000
商标名： OptiMOS
典型关闭延迟时间： 18.5 ns, 17.2 ns
零件号别名： SP000865186
ROHS： 无铅
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