型号:  BSZ097N10NS5ATMA1

功能描述:  Infineon BSZ097N10NS5 系列 N沟道 MOSFET BSZ097N10NS5ATMA1, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装

制造商:  Infineon Technologies

FET 类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：  100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：  8A（Ta），40A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：  6V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：  3.8V @ 36µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  28nC @ 10V

Vgs（最大值）：  ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2080pF @ 50V

功率耗散（最大值）：  2.1W（Ta），69W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：  9.7 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

供应商器件封装：  PG-TSDSON-8-FL

封装/外壳：  PG-TSDSON-8

通道类型：  N

最大连续漏极电流：  40 A

最大漏源电压：  100 V

最大漏源电阻值：  13 m0hms

最大栅阈值电压：  3.8V

最小栅阈值电压：  2.2V

最大栅源电压：  20 V

封装类型：  TSDSON

晶体管配置：  单

引脚数目：  8

通道模式：  增强

类别：  功率 MOSFET

最大功率耗散：  69 W

典型接通延迟时间：  11 ns

典型关断延迟时间：  21 ns

典型输入电容值@Vds：  1600 pF @ 50 V

典型栅极电荷@Vgs：  22 nC @ 10 V

系列：  BSZ097N10NS5

每片芯片元件数目：  1

最低工作温度：  -55 °C

宽度：  3.4mm

高度：  1.1mm

正向跨导：  46S

正向二极管电压：  1.2V

尺寸：  3.4 x 3.4 x 1.1mm

最高工作温度：  +150 °C

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs