型号:  BSZ110N06NS3GATMA1

功能描述:  N-Channel 60 V 11 mOhm OptiMOSTM3 Power-Transistor - PG-TSDSON-8

制造商:  Infineon Technologies

系列：  OptiMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  20A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  4V @ 23µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  33nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  2700pF @ 30V

Vgs（最大值）：  ±20V

功率耗散（最大值）：  2.1W（Ta），50W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  11 毫欧 @ 20A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  PG-TSDSON-8

封装形式Package：  TSDSON

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  20A

漏源电压（Vdss）：  60V

供应商器件封装：  PG-TSDSON-8

无铅情况/RoHs：  否