型号: BSZ12DN20NS3G
功能描述: Infineon Technologies/分立半导体产品
制造商: Infineon Technologies
数据列表： BSZ12DN20NS3G
标准包装： 5,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： OptiMOS??
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 11.3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 125 毫欧 @ 5.7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 8.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 680pF @ 100V
功率 - 最大值： 50W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerTDFN
供应商器件封装： PG-TSDSON-8（3.3x3.3）
其它名称： BSZ12DN20NS3 GBSZ12DN20NS3GATMA1BSZ12DN20NS3GTRSP000781784
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