型号: BSZ180P03NS3EG
功能描述: MOSFET P-Ch -30V -39.6A TSDSON-8 OptiMOS P3
制造商: Infineon Technologies
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
Id-连续漏极电流: - 39.6 A
Vds-漏源极击穿电压: - 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 18 Ohms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: - 1.9 V
Qg-栅极电荷: 20 nC
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 40 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSDSON-8
封装: Reel
商标: Infineon Technologies
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 18 S
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 11 ns
系列: OptiMOS P3
工厂包装数量: 5000
商标名: OptiMOS
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
零件号别名: BSZ180P03NS3EGATMA1 BSZ180P03NS3EGXT SP000709740
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