型号: BSZ900N20NS3G
功能描述: MOSFET N-CH 200V 15.2A
制造商: Infineon Technologies
晶体管极性： N-Channel
汲极/源极击穿电压： 200 V
闸/源击穿电压： 20 V
漏极连续电流： 15.2 A
导通电阻： 77 mOhms
最大工作温度： + 150 C
安装风格： SMD/SMT
封装 / 箱体： PG-TDSON-8
封装： Reel
商标： Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值： 16 S, 8 S
最小工作温度： - 55 C
功率耗散： 62.5 W
系列： BSZ900N20
工厂包装数量： 5000
商标名： OptiMOS
零件号别名： BSZ900N20NS3GATMA1 SP000781806
ROHS： 无铅
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