型号: BTS112ANKSA1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压： ±20
欧盟RoHS指令： Not Compliant
最高工作温度： 150
包装宽度： 4.4
通道模式： Enhancement
标准包装名称： TO-220
包装高度： 9.2
安装： Through Hole
最大功率耗散： 40000
渠道类型： N
最大漏源电阻： 150@10V
最低工作温度： -55
最大漏源电压： 60
每个芯片的元件数： 1
标签： Tab
供应商封装形式： TO-220AB
包装长度： 9.9
PCB： 3
最大连续漏极电流： 12
引脚数： 3
连续漏极电流： 12 A
栅源电压（最大值）： �20 V
功率耗散： 40 W
漏源导通电阻： 0.15 ohm
工作温度范围： -55C to 150C
包装类型： TO-220AB
封装： Tube
极性： N
类型： Power MOSFET
元件数： 1
工作温度分类： Military
漏源导通电压： 60 V
弧度硬化： No
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