型号: BTS112ANKSA1
功能描述: Trans MOSFET N-CH 60V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
制造商: Infineon Technologies AG
最大门源电压: ±20
欧盟RoHS指令: Not Compliant
最高工作温度: 150
包装宽度: 4.4
通道模式: Enhancement
标准包装名称: TO-220
包装高度: 9.2
安装: Through Hole
最大功率耗散: 40000
渠道类型: N
最大漏源电阻: 150@10V
最低工作温度: -55
最大漏源电压: 60
每个芯片的元件数: 1
标签: Tab
供应商封装形式: TO-220AB
包装长度: 9.9
PCB: 3
最大连续漏极电流: 12
引脚数: 3
连续漏极电流: 12 A
栅源电压(最大值): �20 V
功率耗散: 40 W
漏源导通电阻: 0.15 ohm
工作温度范围: -55C to 150C
包装类型: TO-220AB
封装: Tube
极性: N
类型: Power MOSFET
元件数: 1
工作温度分类: Military
漏源导通电压: 60 V
弧度硬化: No
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