型号: BTS410E2.
功能描述:
制造商:
驱动芯片类型: 高压侧
输出电流 峰值: 1.8A
输出阻值: 0.19ohm
输入延迟: 125μs
输出延时: 85μs
电源电压范围: 4.7V 到 42V
封???类型: TO-220AB
针脚数: 5
工作温度范围: -40°C 到 +150°C
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
击穿电压, ESD: 1kV
功率, Pd: 50W
功耗: 75W
功耗, Pd: 75W
在电阻RDS（上）: 0.19ohm
封装类型: TO-220
封装类型: TO-220
总功率, Ptot: 50W
晶体管数: 1
晶体管极性: ?频道
晶体管类型: 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
温度 @ 电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
电压, Vds 典型值: 42V
电压, Vds 最大: 42V
电流, Id 连续: 1.8A
电流上限: 1.8A
电源电压: 60V
短路电流限制, I scr: 5A
表面安装器件: 通孔安装
通态电阻, Rds on 最大: 220mohm
联系人：小柯
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Q Q:
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