型号: BU2527AF
功能描述: Silicon Diffused Power Transistor
制造商: PHILIPS [Philips Semiconductors]
安装类型: 通孔
宽度: 5.2mm
封装类型: TO-247F
尺寸: 21.5 x 15.3 x 5.2mm
引脚数目: 3
晶体管类型: NPN
最低工作温度: -65 °C
最大功率耗散: 45000 mW
最大基极-发射极饱和电压: 1.3 V
最大直流集电极电流: 12 A
最大集电极-发射极电压: 800 V
最大集电极-发射极饱和电压: 5 V
最小直流电流增益: 5 V
最高工作温度: +150 °C
每片芯片元件数目: 1
类别: 双极功率
配置: 单
长度: 15.3mm
高度: 21.5mm
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：曾先生
Q Q:
联系人：曾小姐
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18926082802
Q Q:
联系人：钟先生
电话：13424875338
Q Q:
联系人：李先生,张女士
电话：18819028796
Q Q:
