型号: BU508AW
功能描述: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Hi Vltg NPN Pwr transistor
制造商: STMicroelectronics
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 是
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 700 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 9 V
集电极—射极饱和电压: 1 V
最大直流电集电极电流: 15 A
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BU508AW
高度: 20.15 mm (Max)
长度: 15.75 mm (Max)
封装: Tube
宽度: 5.15 mm (Max)
商标: STMicroelectronics
Pd-功率耗散: 125000 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
单位重量: 6.500 g
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