型号: BUJ302AD
功能描述: NXP BUJ302AD , NPN 晶体管, 4 A, Vce=400 V, HFE:25, 3引脚 SOT-428封装
制造商: WeEn Semiconductors Co., Ltd
晶体管类型： NPN
最大直流集电极电流： 4 A
最大集电极-发射极电压： 400 V
封装类型： SOT-428
安装类型： 表面贴装
最大功率耗散： 80 W
最小直流电流增益： 25
晶体管配置： 单
最大发射极-基极电压： 24 V
引脚数目： 3
每片芯片元件数目： 1
最高工作温度： +150 °C
宽度： 6.22mm
长度： 6.73mm
尺寸： 6.73 x 6.22 x 2.38mm
最大基极-发射极饱和电压： 1.5 V
高度： 2.38mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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