型号: BUK1M200-50SGTDT/R
功能描述:
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 50 V
漏极连续电流: 2.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.38 Ohms
配置: Quad
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-20
封装: Reel
下降时间: 1600 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 9.4 W
上升时间: 700 ns
工厂包装数量: 500
典型关闭延迟时间: 3200 ns
零件号别名: BUK1M200-50SGTD,11
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