型号: BUK652R0-30C,127
功能描述: NXP Semiconductors/分立半导体产品
制造商: NXP Semiconductors
标准包装： 50
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： TrenchMOS??
包装： 管件
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 120A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 2.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： 229nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 14964pF @ 25V
功率 - 最大值： 306W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-220-3
供应商器件封装： TO-220AB
其它名称： 568-7490-5934064466127BUK652R0-30C,127-NDBUK652R030C127
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