型号: BUK663R5-55C
功能描述: N沟道FET的TrenchMOS N-channel TrenchMOS FET
制造商: NXP (恩智浦)
封装: D2PAK
引脚数: 3
功耗: 263 W
极性: N-Channel
漏源极电压(Vds): 55V
连续漏极电流(Ids): 120A
REACH SVHC标准: No SVHC
含铅标准: Lead Free
RoHS标准: Compliant
产品生命周期: Not Listed by Manufacturer
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