型号:  BUK7212-55B.118

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 55V 83A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  2,500

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Standard

漏极至源极电压（VDSS）：  55V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  75A

Rds（最大）@ ID，VGS：  12 mOhm @ 25A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：  4V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  35nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的：  2453pF @ 25V

功率 - 最大：  167W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供应商器件封装：  D-Pak

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  3DPAK

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  55 V

最大连续漏极电流：  83 A

RDS -于：  12@10V mOhm

最大门源电压：  20 V

典型导通延迟时间：  18 ns

典型上升时间：  91 ns

典型关闭延迟时间：  48 ns

典型下降时间：  45 ns

工作温度：  -55 to 185 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  20

包装宽度：  6.22(Max)

PCB：  2

最大功率耗散：  167000

最大漏源电压：  55

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  12@10V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  DPAK

标准包装名称：  DPAK

最高工作温度：  185

渠道类型：  N

包装长度：  6.73(Max)

引脚数：  3

包装高度：  2.38(Max)

最大连续漏极电流：  83

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Standard

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  75A (Tc)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  4V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  55V

供应商设备封装：  DPAK

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  12 mOhm @ 25A, 10V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  167W

封装/外壳：  TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

输入电容（Ciss ） @ VDS：  2453pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS：  35nC @ 10V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

其他名称：  568-6570-1

连续漏极电流：  83 A

栅源电压（最大值）：  20 V

功率耗散：  167 W

漏源导通电阻：  0.012 ohm

工作温度范围：  -55C to 185C

包装类型：  DPAK

极性：  N

类型：  Power MOSFET

元件数：  1

工作温度分类：  Military

漏源导通电压：  55 V