型号: BUK7513-75B
功能描述: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 75 A
Vds-漏源极击穿电压: 75 V
Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 157 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Rail
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 26 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 36 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: BUK7513-75B,127
联系人：Alien
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：谢先生
电话：13923432237
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：朱小姐
电话：18718681541
Q Q:
联系人：苏先生
电话：15361668939
Q Q:
联系人：王小飞
电话：18768342458
Q Q:
