型号: BUK752R7-30B
功能描述: TrenchMOS TM standard level FET
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 30 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 241 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.0027 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Rail
下降时间: 118 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 300 W
上升时间: 107 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 113 ns
零件号别名: BUK752R7-30B,127
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话
电话：13480875861
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：张先生
电话：19967512226
Q Q:
联系人：张女士，曾先生
电话：13169937168
Q Q:
联系人：刘晓婷
电话：13077811690
Q Q:
