型号: BUK762R6-60E,118
功能描述: MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.97 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 140 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 324 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Nexperia
下降时间: 58 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 50 ns
工厂包装数量: 800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 87 ns
典型接通延迟时间: 32 ns
联系人：Alien
Q Q:
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