型号: BUK7E11-55B
功能描述: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 84 A
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Rds On-漏源导通电阻: 11 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 157 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Rail
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 27 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 45 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 41 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
零件号别名: BUK7E11-55B,127
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