型号: BUK7E5R2-100E,127
功能描述: MOSFET N-channel TrenchMOS standard level FET
制造商: Nexperia
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: I2PAK-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 349 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Tube
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Nexperia
下降时间: 80 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 62 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 158 ns
典型接通延迟时间: 37 ns
单位重量: 2.300 g
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Q Q:
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