型号: BUK7Y3R5-40HX
功能描述:
制造商: Nexperia
FET 类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 120A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 53nC @ 10V
Vgs(最大值): +20V, -10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值): 3441pF @ 25V
功率耗散(最大值): 115W(Ta)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值): 3.5 毫欧 @ 25A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
供应商器件封装: LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳: SC-100,SOT-669,4-LFPAK
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs: 10V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds: 25V
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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