型号: BUK9512-55B
功能描述: MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
制造商: NXP Semiconductors
制造商: NXP
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: NXP Semiconductors
Id-连续漏极电流: 79 A
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 15 V
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 157 W
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
封装: Rail
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 75 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 101 ns
工厂包装数量: 50
典型关闭延迟时间: 96 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
零件号别名: BUK9512-55B,127
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：连
电话：18922805453
Q Q:
联系人：贾敏
电话：15338888199
Q Q:
联系人：黄
电话：52663507
Q Q:
联系人：黄生
电话：13926593921
Q Q:
