型号:  BUK966R5-60E,118

功能描述:  BUK966R5-60E Series 60 V 5.9 mOhm N-Channel TrenchMOS Logic Level FET - TO-263-3

制造商:  Nexperia

系列：  汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  75A（Tc）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.1V @ 1mA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  48nC @ 5V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  6900pF @ 25V

Vgs（最大值）：  ±10V

功率耗散（最大值）：  182W（Tc）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  5.9 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：  -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

封装形式Package：  D2PAK

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  75A

无铅情况/RoHs：  否