型号:  BUK9880-55.135

功能描述:   Trans MOSFET N-CH 55V 7.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

制造商:  nxp semiconductors

Rohs：  Lead free / RoHS Compliant

标准包装：  4,000

FET 型 ：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点：  Logic Level Gate

漏极至源极电压（VDSS）：  55V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C：  3.5A

Rds（最大）@ ID，VGS：  80 mOhm @ 5A, 5V

VGS（TH）（最大）@ Id：  2V @ 1mA

栅极电荷（Qg）@ VGS：  -

输入电容（Ciss）@ Vds的：  650pF @ 25V

功率 - 最大：  1.8W

安装类型 ：  Surface Mount

包/盒 ：  TO-261-4, TO-261AA

供应商器件封装：  SC-73

包装材料 ：  Tape & Reel (TR)

包装：  4SOT-223

通道模式：  Enhancement

最大漏源电压：  55 V

最大连续漏极电流：  7.5 A

RDS -于：  80@5V mOhm

最大门源电压：  10 V

典型导通延迟时间：  10 ns

典型关闭延迟时间：  30 ns

工作温度：  -55 to 150 °C

安装：  Surface Mount

标准包装：  Tape & Reel

最大门源电压：  10

包装宽度：  3.7(Max)

PCB：  3

最大功率耗散：  1800

最大漏源电压：  55

欧盟RoHS指令：  Compliant

最大漏源电阻：  80@5V

每个芯片的元件数：  1

最低工作温度：  -55

供应商封装形式：  SC-73

标准包装名称：  SOT-223

最高工作温度：  150

渠道类型：  N

包装长度：  6.7(Max)

引脚数：  4

包装高度：  1.7(Max)

最大连续漏极电流：  7.5

封装：  Tape and Reel

标签：  Tab

铅形状：  Gull-wing

FET特点：  Logic Level Gate

安装类型：  Surface Mount

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C：  3.5A

的Vgs（th ） （最大）@ Id：  2V @ 1mA

漏极至源极电压（Vdss）：  55V

供应商设备封装：  SC-73

开态Rds（最大）@ Id ，V GS：  80 mOhm @ 5A, 5V

FET型：  MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：  1.8W

封装/外壳：  TO-261-4, TO-261AA

输入电容（Ciss ） @ VDS：  650pF @ 25V

RoHS指令：  Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量：  4000

产品种类：  MOSFET

晶体管极性：  N-Channel

配置：  Single Dual Drain

源极击穿电压：  +/- 10 V

连续漏极电流：  7.5 A

安装风格：  SMD/SMT

RDS（ON）：  80 mOhms at 5 V

功率耗散：  1800 mW

最低工作温度：  - 55 C

零件号别名：  /T3 BUK9880-55

上升时间：  30 ns

最高工作温度：  + 150 C

漏源击穿电压：  55 V